隨著SiC產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，襯底技術(shù)的突破與大尺寸化進(jìn)程正在重塑全球市場格局。5月12日，晶盛機電子公司浙江晶瑞電子材料有限公司（以下簡稱“浙江晶瑞SuperSiC”）實現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶生長技術(shù)突破，首顆12英寸SiC晶體成功出爐——晶體直徑達(dá)到309mm，質(zhì)量完好。這不僅標(biāo)志著晶盛機電在SiC領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了6-12英寸全尺寸長晶技術(shù)的自主可控，更為我國SiC產(chǎn)業(yè)鏈的自主化發(fā)展提供了強有力的技術(shù)支撐。

▲ 首顆12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶

SiC作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有高禁帶寬度、高硬度和耐磨性、高熱導(dǎo)率等優(yōu)異特性，是制造高壓、高溫、高頻功率器件的理想材料。但大尺寸SiC晶體的制備一直是全球技術(shù)難題，此前行業(yè)主流量產(chǎn)尺寸仍為6-8英寸襯底。浙江晶瑞SuperSiC基于自主研發(fā)的SiC單晶生長爐以及持續(xù)迭代升級的8-12英寸長晶工藝，經(jīng)過多年的技術(shù)攻關(guān)，創(chuàng)新晶體生長溫場設(shè)計及氣相原料分布工藝，成功攻克12英寸SiC晶體生長中的溫場不均、晶體開裂等核心難題，實現(xiàn)了12英寸超大尺寸晶體生長的重要突破。

▲ 首顆12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶

浙江晶瑞SuperSiC此次成功研制出12英寸SiC晶體，大幅度提升晶圓的有效可用面積，快速降低芯片單位成本，是晶盛機電正式邁入超大尺寸SiC襯底新時代的重要標(biāo)志，將進(jìn)一步加速我國SiC產(chǎn)業(yè)鏈的完善，為國產(chǎn)SiC材料在新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)、5G及AI/AR智能眼鏡等行業(yè)的快速規(guī)?；瘧?yīng)用提供可能。

浙江晶瑞SuperSiC作為晶盛機電子公司，始終專注于碳化硅和藍(lán)寶石拋光片等化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)與生產(chǎn)。目前，公司自主研發(fā)的8英寸碳化硅襯底已實現(xiàn)批量生產(chǎn)。

▲ 8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)

晶盛機電此次12英寸導(dǎo)電型SiC晶體的成功突破，不僅是公司研發(fā)實力的有力證明，更是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在關(guān)鍵基礎(chǔ)材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從“追趕者”轉(zhuǎn)向“領(lǐng)跑”的重要推手。晶盛將繼續(xù)堅持“先進(jìn)材料，先進(jìn)裝備”的發(fā)展戰(zhàn)略，以自主創(chuàng)新為內(nèi)核、以產(chǎn)業(yè)協(xié)同為紐帶、以綠色發(fā)展為坐標(biāo)，在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，助力我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向全球價值鏈高端躍遷。